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產(chǎn)品資料

日本napson2探針法擴散電阻測試儀

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產(chǎn)品名稱: 日本napson2探針法擴散電阻測試儀
產(chǎn)品型號: SRS-2010
產(chǎn)品展商: 其它品牌
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔

簡單介紹

日本napson2探針法擴散電阻測試儀
可以獲得樣品的深度方向上的電阻分布，外延層的厚度，PN結(jié)的深度以及載流子濃度分布。
可以從幾平方毫米的區(qū)域分析幾百微米的圖案區(qū)域。
根據(jù)測得的擴展電阻，使用校準曲線計算電阻


日本napson2探針法擴散電阻測試儀  的詳細介紹

日本napson2探針法擴散電阻測試儀

 

測量規(guī)格日本napson2探針法擴散電阻測試儀

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格日本napson2探針法擴散電阻測試儀

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸日本napson2探針法擴散電阻測試儀

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

測量規(guī)格日本napson2探針法擴散電阻測試儀

測量目標

與半導體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）

測量尺寸

*請聯(lián)系我們。

測量范圍

1-10E + 9（Ω）[擴展電阻]

施加電壓：10（mV）檢測電流：10（pA）至10（mA）

日本napson2探針法擴散電阻測試儀

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